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對MOCVD設備還感到非常陌生?看完這篇文章你就了解它了!

更新時間:2021-01-26      瀏覽次數(shù):1408

    NMC-4000(M)MOCVD設備概述:NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動控制,*的安全互鎖。

    目前,這項技術延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng),該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產量的要求。

    NMC-4000(M)MOCVD設備特點:

    臺式系統(tǒng)

    10英寸不銹鋼腔體

    帶碰頭氣體分配器的射頻等離子源

    自動調節(jié)

    4英寸基片夾、可加熱到900°C

    5個帶獨立冷卻/加熱的起泡器

    加熱氣體管道

    附加流量控制器

    250升/秒渦輪分子泵組

    5×10-7托基準壓

    電腦程序全自動驅動

    儀器模擬用戶界面

    緊急按鈕保護和安全互鎖

    MOCVD設備選配:

    立式獨立系統(tǒng)

    感應耦合等離子或微波等離子源

    14英寸電解拋光立方體腔體

    8英寸或12英寸基片夾

    6英寸可加熱至700°C旋轉基板臺(4英寸可到950°C)

    附加的起泡器和MFC

    晶圓自動裝載/卸載

    可兼容集群配置

    應用:

    3到5族半導體層

    藍色發(fā)光二極管

    激光二極管

    紫外-可見光譜光電中的氮化銦納米棒

    3D或2D材料中的二硫化鉬、氮化硼、石墨烯
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