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原子層沉積設(shè)備技術(shù)產(chǎn)業(yè)化取得重要進展

更新時間:2020-06-02      瀏覽次數(shù):1749
  原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展,無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上,都已經(jīng)取得了長足進步,在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。比如:原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機化合物,合適的前驅(qū)體種類較少而且價格昂貴;傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長,沉積速率較慢,不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn);
 
  此外,熱原子層沉積技術(shù)難以用來沉積金屬Ti,Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進,諸如“等離子體增強原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
 
  從文獻報道來看,針對太陽能光伏領(lǐng)域的應用,一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間,僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個半反應區(qū)間移動所需的時間,而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量,若能保證1s通過一個這樣規(guī)格的Si片,目前的設(shè)計*可以滿足工業(yè)化應用需求。
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